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股票口诀大全830.11万元
2026-01-01 18:46股票知识 人已围观
简介股票口诀大全830.11万元 贵所于 2025年 12月 11日出具的《合于拓荆科技股份有限公司向特定对象发行股票申请文献的审核问询函》（以下简称审核问询函）已收悉。拓荆科技股份有限公司...
股票口诀大全830.11万元贵所于 2025年 12月 11日出具的《合于拓荆科技股份有限公司向特定对象发行股票申请文献的审核问询函》（以下简称“审核问询函”）已收悉。拓荆科技股份有限公司（以下简称“拓荆科技”、“发行人”或“公司”）与中信筑投证券股份有限公司（以下简称“保荐机构”或“保荐人”）、天健管帐师工作所（格外普及协同）（以下简称“申报管帐师”）等相干方已就审核问询函中提到的题目举办了逐项落实并答复。
本审核问询函答复中所行使的术语、名称、缩略语，除奇特证明外，与其正在《拓荆科技股份有限公司 2025年度向特定对象发行 A股股票召募仿单》中的寄义好像。
本答复中若显示总共数尾数与所列数值总和尾数不符的情形，均为四舍五入所致。
凭据申报资料，1）本次向特定对象发行股票召募资金总额不进步邦民币 460,000.00万元（含本数），拟用于高端半导体配置家当化基地维持项目、前沿技巧研发核心维持项目、填补活动资金；2）本次“高端半导体配置家当化基地维持项目”为前次“高端半导体配置家当化基地维持项目”的追加投资，前次项目召募资金尚未行使完毕；3）前次募投项目存正在部门改观。
请发行人证明：（1）本次募投项目与现有营业的区别与接洽，是否适当投向主业的央浼，本次募投项目奉行后是否新增合系业务；（2）本次召募资金投向前次超募资金维持项宗旨合理性，维系具体投资盘算、维持实质、资金用处是否能昭着分别，证明正在前次召募资金尚未根基行使完毕情形下奉行本次募投项宗旨需要性；（3）维系紧要研发实质、技巧与职员储蓄、研发发展、研起事点占据情形、原资料及配置采购的可行性等，证明奉行前沿技巧研发核心维持项目是否存正在巨大不确定性；（4）维系本募产物的墟市需求、角逐体例及公司角逐优劣势、现有及新增产能、产能使用率及产销率、正在手订单及客户斥地情形等，证明本次募投项目追加投资新增产能的合理性以及产能消化手段；（5）前募资金改观前后非本钱性开支占比情形。
请保荐机构核查并揭晓昭着核查偏睹，请申报管帐师核查题目（5）并揭晓昭着核查偏睹。
（一）本次募投项目与现有营业的区别与接洽，是否适当投向主业的央浼，本次募投项目奉行后是否新增合系业务
公司紧要从事高端半导体专用配置的研发、坐蓐、发售与技巧办事。自创设此后，公司永远相持自决研发、自决更始，目前已造成 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜重积配置产物，以及运用于三维集成界限的前辈键合配置和配套的量检测配置产物，薄膜重积配置产物已普及运用于邦内集成电道逻辑芯片、存储芯片等筑筑产线，前辈键合配置和配套的量检测配置产物已正在前辈存储、图像传感器（CIS）等界限完毕量产。
凭据配置产物类型、产物运用界限、面向客户群体、产能分别本项目筑成后紧要坐蓐配置与现有营业的分别与接洽如下：
凭据下逛需求，能够存正在 部门现有 3D NAND、现有 DRAM架构所需配置
综上，本项目以现有配置技巧与产能为根源，正在扩充现有制程、3D NAND 及 DRAM 芯片所需配置产能的同时，构造维持前辈制程、前辈 3D NAND、前辈DRAM架构及三维集成界限所需配置产能，完毕成熟产物产能扩张与迭代升级产物技巧落地的双重目的。相干产物为盘绕下逛制程和架构迭代历程对公司现有薄膜重积配置举办相应的迭代和型号升级，不涉及投向与公司现有产物非统一界限的全新产物，适当投向主业的央浼。
凭据产物运用界限分别前沿技巧研发核心维持项宗旨紧要研发产物与现有营业的区别与接洽如下：
紧要为现有 3D NAND、现 有 DRAM架构所需的薄 膜工艺和配置
紧要面向前辈 3D NAND、前辈 DRAM架构所需的薄膜工艺配置及 相干延迟拓展技巧产物的研发
综上，该项目紧要为正在现有制程、现有 3D NAND、现有 DRAM架构配置研发效率及技巧积攒的根源上，拓展前辈制程、前辈 3D NAND、前辈 DRAM架构和三维集成界限所需的前辈工艺及配置产物的研发，相干研发为盘绕下逛制程和架构迭代历程对公司现有薄膜重积配置及相干工艺举办相应的研发迭代、技巧升级和工艺延展，不涉及投向与公司现有产物或技巧非统一界限的全新偏向，适当投向主业的央浼。
本次召募资金投资项目严密盘绕公司主生意务伸开，是公司现有营业的升级和拓展，高端半导体配置家当化基地维持项目筑成后，将大幅晋升公司高端半导体配置产能，并新增前辈逻辑、前辈 3D NAND、前辈 DRAM架构的家当化才具，面向前辈制程迭代与三维集成架构对高端半导体配置提出的技巧需求，重心盘绕PECVD、ALD、沟槽填充 CVD等公司上风界限深耕，展开众项前辈薄膜重积工艺和配置的研发，并完毕相干技巧的拓展和延迟，慢慢打破个中的前沿中央技巧，造成一系列具有自决常识产权、餍足前沿技巧运用需求的产物。本次募投项目适当公司营业构造及来日繁荣策略，接连拓展并晋升正在薄膜重积配置界限的工艺掩盖面，加强公司中央角逐力和抗危险才具，支柱公司高质料可接连繁荣，适当投向公司主业的央浼。
（1）本次募投项目与公司和合系方之间的业务并不存正在直接对应或既定肯定的相干，不会影响上市公司坐蓐筹备的独立性
“高端半导体配置家当化基地维持项目”估计正在维持阶段不会直接新增合系业务。项目投产后，公司高端半导体专用配置产能和营业范围将明显晋升，有利于更好地餍足包罗合系方客户正在内的墟市需求。基于对行业供需态势的判别，来日非合系方及合系方客户均能够增众对公司产物的采购范围，合系发售总额能够随之相应上升。别的，“前沿技巧研发核心维持项目”正在维持流程中涉及软硬件配置及耗材采购，公司亦能够凭据行业供需情形向合系方举办采购，从而造成合系业务。
据此，本次募投项宗旨奉行能够导致公司合系业务金额增众，但该等业务均源自于公司及属下子公司寻常筹备行径，适当行业旧例，不会对公司的坐蓐筹备独立性出现巨大晦气影响。
别的，截至本答复出具之日，公司无控股股东和实质掌握人，本次募投项目奉行后，公司仍将维系无控股股东及实质掌握人形态。于是，不会显示与控股股东、实质掌握人及其掌握的企业之间新增组成巨大晦气影响的同行角逐、显失公道的合系业务的情形，亦不会对公司坐蓐筹备的独立性出现紧张影响。
本次募投项目维持阶段及奉行后如新增合系业务，公司会根据届时墟市境况，正在订价公道、业务公道合理的根源长进行，并厉肃依据相合规矩践诺审议和决定措施，不会对公司坐蓐筹备的独立性变成巨大晦气影响。
发行人初度公斥地行股票并正在科创板上市前的紧要股东出具了《合于样板和节减合系业务的首肯函》，目前尚处于有用期内的首肯函的紧要实质如下：
（1）本公司将善意践诺举动拓荆科技股东的职守，敷裕崇敬拓荆科技的独立法人位子，保护拓荆科技独立筹备、自决决定。本公司将厉肃 依据《公执法》以及拓荆科技公司章程的规矩，促使经本公司提名的拓荆科技董事（如有）依法践诺其应尽的诚信和勤苦义务。 （2）倘若拓荆科技及其属下公司正在以后的筹备行径中必需与本公司或 本公司掌握的企业或者经济机合发作弗成避免的合系业务，本公司将 促使此等业务厉肃依据邦度相合国法准则、拓荆科技公司章程和其他 相合规矩践诺相应措施，并依据寻常的贸易前提举办；担保本公司及 本公司掌握的企业或者经济机合将不会央浼或承担拓荆科技及其属下 公司赐与比正在任何一项墟市公道业务中局外人更优惠的前提；担保不 使用股东位子，就拓荆科技及其属下公司与本公司或本公司掌握的企 业或者经济机合相干的任何合系业务选用任何举止，有意促使拓荆科 技的股东大会或董事会作出侵袭拓荆科技或其他股东合法权利的决 议。 （3）担保本公司及本公司掌握的企业或者经济机合将厉肃驯良意地履 行其与拓荆科技及其属下公司签署的各样合系业务答应。本公司及本
公司掌握的企业或者经济机合将不会向拓荆科技及其属下公司追求任 何胜过该等答应规矩以外的益处或收益。 （4）如违反上述首肯，本公司将凭据中邦证监会和证券业务所的规矩 接受相干义务。 （5）本尺素所述首肯事项一经本公司确认，为本公司确实兴趣展现， 对本公司具有国法管束力。本公司志愿承担拘押组织、社会大众及投 资者的监视，并依法接受相应义务。 （6）本尺素自签订之日起生效，正在本公司根据所应苦守的相干准则作 为拓荆科技合系方时代接连有用。
邦投（上海）科技 效率转化创业投资 基金企业（有限合 伙、中微半导体设 备（上海）股份有 限公司及 11个公司 员工持股平台[注]
（1）本企业/本公司/自己将善意践诺举动拓荆科技股东的职守，敷裕 崇敬拓荆科技的独立法人位子，保护拓荆科技独立筹备、自决决定。 本企业/本公司/自己将厉肃依据《公执法》以及拓荆科技公司章程的规 定，促使经本企业/本公司/自己提名的拓荆科技董事（如有）依法践诺 其应尽的诚信和勤苦义务。 （2）截至本尺素出具日，除一经招股仿单、审计讲演和讼师就业报 告等文献披露的状况外，本企业/本公司/自己及本企业/本公司/自己直 接或间接掌握的企业或者经济机合（以下统称“本企业/本公司/自己控 制的企业或者经济机合”）与拓荆科技及其属下公司不存正在其他合系交 易。 （3）担保本企业/本公司/自己以及本企业/本公司/自己掌握的企业或者 经济机合，以后规则上不与拓荆科技及其属下公司发作合系业务。如 果拓荆科技及其属下公司正在以后的筹备行径中必需与本企业/本公司/ 自己或本企业/本公司/自己掌握的企业或者经济机合发作弗成避免的 合系业务，本企业/本公司/自己将促使此等业务厉肃依据邦度相合国法 准则、拓荆科技公司章程和其他相合规矩践诺相应措施，并依据寻常 的贸易前提举办；担保本企业/本公司/自己及本企业/本公司/自己掌握 的企业或者经济机合将不会央浼或承担拓荆科技及其属下公司赐与比 正在任何一项墟市公道业务中局外人更优惠的前提；担保不使用股东地 位，就拓荆科技及其属下公司与本企业/本公司/自己或本企业/本公司/ 自己掌握的企业或者经济机合相干的任何合系业务选用任何举止，故 意促使拓荆科技的股东大会或董事会作出侵袭拓荆科技或其他股东合 法权利的决议。 （4）担保本企业/本公司/自己及本企业/本公司/自己掌握的企业或者经 济机合将厉肃驯良意地践诺其与拓荆科技及其属下公司签署的各样合 联业务答应。本企业/本公司/自己及本企业/本公司/自己掌握的企业或 者经济机合将不会向拓荆科技及其属下公司追求任何胜过该等答应规 定以外的益处或收益。 （5）如违反上述首肯给拓荆科技及其属下公司变成失掉，本企业/本公 司/自己将实时、足额地向拓荆科技及其属下公司作出补偿或抵偿。本 企业/本公司/自己未能践诺上述补偿或抵偿首肯的，则拓荆科技有权相 应扣减应付本企业的现金分红（包罗相应扣减本企业/本公司/自己来日 能够因间接持有拓荆科技的股份而可间接分得的现金分红）。正在相应的 首肯践诺前，本企业/本公司/自己亦不让与本企业/本公司/自己所直接 或来日能够间接所持的拓荆科技的股份，但为践诺上述首肯而举办转 让的除外。 （6）本尺素所述首肯事项一经本企业确认，为本企业/本公司/自己真 实兴趣展现，对本企业/本公司/自己具有国法管束力。本企业/本公司/ 自己志愿承担拘押组织、社会大众及投资者的监视，并依法接受相应 义务。 （7）本尺素自签订之日起生效，正在本企业/本公司/自己根据所应苦守 的相干准则举动拓荆科技合系方时代接连有用。
注：11个员工持股平台包罗共青城芯鑫和投资协同企业（有限协同）、共青城芯鑫全投资协同企业（有限协同）、共青城芯鑫龙投资协同企业（有限协同）、共青城芯鑫成投资协同企业（有限协同）、共青城芯鑫盛投资协同企业（有限协同）、共青城芯鑫阳投资协同企业（有限协同）、共青城芯鑫旺投资协同企业（有限协同）、沈阳盛腾投资执掌核心（有限协同）、沈阳盛旺投资执掌核心（有限协同）、沈阳盛全投资执掌核心（有限协同）、沈阳盛龙投资执掌核心（有限协同），组成相同举止相干。
综上，本次募投项目与公司和合系方之间的业务并不存正在直接对应或既定肯定的相干，本次募投项宗旨奉行能够导致公司合系业务金额增众，但该等业务均源自于公司及属下子公司寻常筹备行径，适当行业旧例，不会对公司的坐蓐筹备独立性出现巨大晦气影响。发行人与首肯方有发作合系业务的均按《公执法》《证券法》《上市公司消息披露执掌举措》等国法准则以及《公司章程》《合系业务执掌轨制》等规章轨制的相干央浼展开，不存正在违反相干首肯的状况。本次募投项目维持阶段及奉行后如新增合系业务，公司会根据届时墟市境况，正在订价公道、业务公道合理的根源长进行，并厉肃依据相合规矩践诺审议和决定措施，不会对公司坐蓐筹备的独立性变成巨大晦气影响。适当《拘押准则合用指引——发行类第 6号》-“6-2 合系业务”的相干规矩。
发行人于《召募仿单》-“第六节 与本次发行相干的风陡峭素”-“三、对本次募投项宗旨奉行流程或奉行成果能够出现巨大晦气影响的要素”-“（六）募投项目奉行后能够新增合系业务的危险”填补披露如下：
“公司本次募投项目“高端半导体配置家当化基地维持项目”估计正在维持阶段不会直接新增合系业务，项目投产后，公司高端半导体专用配置产能和营业范围将明显晋升，有利于更好地餍足包罗合系方客户正在内的墟市需求。基于对行业供需态势的判别，来日非合系方及合系方客户均能够增众对公司产物的采购范围，合系发售总额能够随之相应上升。别的，“前沿技巧研发核心维持项目”正在维持流程中涉及软硬件配置及耗材采购，公司亦能够凭据行业供需情形向合系方举办采购，从而造成合系业务。募投项目奉行后公司能够面对新增合系业务的危险。”
（二）本次召募资金投向前次超募资金维持项宗旨合理性，维系具体投资盘算、维持实质、资金用处是否能昭着分别，证明正在前次召募资金尚未根基行使完毕情形下奉行本次募投项宗旨需要性
维持“高端半导体配置产 业化基地维持项目”并变 更部门首发募投资金及超 募资金参加该项目。
总投资额110,000.00 万元，个中首发召募 资金和超募资金投 入25,000.00万元，自 筹资金参加85,000.0 0万元。
2024年3月1日，公司第二届董事会 第三次集会审议并通过了“合于投 资维持“高端半导体配置家当化基 地维持项目”并改观部门召募资金 用处参加该项宗旨议案”，2024年 3月2日公司告示《合于投资维持新 项目并改观部门召募资金用处投 入新项宗旨告示》。 2024年3月18日，公司召开2024年 第二次且自股东大会审议并通过 了上述事项。
行使首发超募资金1,826.6 0万元参加该项目，调减相 应金额自筹资金投资。
总投资额110,000.00 万元，个中首发召募 资金和超募资金投 入26,826.60万元，自 筹资金参加83,173.4 0万元。
2024年8月26日，公司第二届董事 会第七次集会审议并通过了“合于 公司行使超募资金用于正在筑项目 的议案”。2024年8月28日，公司 告示《合于行使超募资金用于正在筑 项宗旨告示》。[注]
项目总投资金额改观为17 6,830.11万元，行使本次募 集资金150,000.00万元追 加投资并调减部门自筹资 金投资。
总投资额176,830.11 万元，个中首发召募 资金和超募资金投 入26,826.60万元，本 次召募资金参加15 0,000.00万元，自有 资金参加3.51万元。
2025年9月12日，公司第二届董事 会第十八次集会审议并通过“合于 公司2025年度向特定对象发行A股 股票计划的议案”-“本次发行召募 资金投向”，2025年9月13日，公 司告示《2025年度向特定对象发行 A股股票预案》，2025年9月29日， 公司召开2025年第三次且自股东 大会审议并通过了上述事项。
注：凭据彼时现行有用的《上海证券业务所科创板上市公司自律拘押指引第 1号——样板运作（2023年 12月修订）》“5.3.9…科创公司盘算单次行使超募资金金额到达 5000万元且到达超募资金总额的 10%以上的，还应该提交股东大会审议通过。”于是，该次超募资金替代部门自筹资金参加项目不涉及须要股东大会审议的状况。
2024年 3月，公司根据彼时下逛的墟市需求做出合理判别新筑“高端半导体配置家当化基地维持项目”，计划产能 400台（套）/年。
正在环球 AI海潮和数字化转型的鞭策下，算力与存储芯片的需求激增，汽车电子界限受益于新能源汽车分泌率晋升与智能化升级，车载芯片的需求接连扩容，手机、PC、可穿着配置等终端产物的高端化、智能化趋向对前辈制程芯片、高容量存储芯片的依赖度亦稳步晋升。基于终端需求的昭着延长预期，下逛芯片筑筑厂正正在加快饱动产能扩张，2024年下半年起，下逛芯片筑筑企业新增的扩产盘算如下：
正饱动三期扩产盘算，三期达产后总产能将达 30万片/月，目的吞噬环球 15%的 NAND墟市 份额；2025年 9月 5日，永存三期(武汉)集成 电道有限义务公司创设。
恒运昌《合于深圳市恒运昌真 空技巧股份有限公司初度公 斥地行股票并正在科创板上市 申请文献的第二轮审核问询 函之答复讲演》（以下简称 “《恒运昌 IPO二轮问询回 复》”）及邦度企业信用消息 体例消息
长鑫存储 2025年将正在昨年大幅增产的根源上 产能进一步同比延长近 50%。到 2025岁终，其 月产能希望到达 30万片，届时约吞噬环球 DRAM总产能的 15%
北电集成 12英寸集成电道坐蓐线年四序度配置搬入，2026岁终完毕量产， 2030年满产。
高端模仿芯片产线万片/月，分两期奉行，产物为高端模 拟芯片，个中一期项目 2025岁终前开工，2027 年四序度通线年满产。
衢州年产 180万片 12英寸重掺衬底片项目，总 投资 22.62亿元，2025岁终前竣工开工打定， 维持周期约 60个月。
公司基于下搭客户的扩产幅度和节拍判别原有 400台（套）/年产能已无法适当下逛需求，应实时对前辈制程芯片的高端薄膜重积配置产能做出充漫衍局，并对坐蓐基地举办智能化维持，以降低自己产能及研发坐蓐成果，契合下逛前辈制程芯片产能迅疾扩张的局面。
基于此，公司安排项目投资总额至 176,830.11万元，将坐蓐基地制造面积由122,400平方米增众至 156,005.59平方米，将项目计划产能由 400台（套）/年晋升至 600台（套）/年，并加大智能化工场相干参加，以适当下逛新态势的央浼。
以本募资金替代自筹资金紧要是因为公司闲居营运资金需求增众，2025年 9月公司资金情形较 2023岁晚发作变动。的确如下：
2023年公司借债均匀余额约 11亿元，2023岁晚资产欠债率 53.94%，借债筹措项目维持资金压力相对较小，于是，公司 2024年 1-2月盘算该项目时，拟自筹 8.50亿元参加项目维持；2025年 9月，公司借债均匀金额已较 2023年延长3倍足够，2025年 9月末资产欠债率延长近 15个百分点，借债筹措资金压力增大，于是公司拟通过本次募资资金替代。别的，本次募投项目盘算投资总额较大、维持周期较长，银行借债刻期平日较短，也不宜举动恒久资金参加募投项目维持。
基于以上公司借债及欠债程度的变动，思量公司闲居筹备的多量资金需求，公司以本募资金替代自筹资金参加项目维持。
?凭据产能由 400台（套）/年扩至 600台（套）/ 年； ?坐蓐基地制造面积由 122,400.00平方米增众至 1 56,005.59平方米，面积增众 33,605.59平方米，增 幅 27.46%，紧要为制造经营安排带来每栋制造的 制造面积发作变动，个中 1号厂房增众 16,392.31 平方米，地下室增众 5,307.24平方米，园区总体 制造数目、制造层数等未发作变动。
凭据上述制造面积等的安排相应安排经营计划 费、监理费、洁白厂房工程等。
紧要为凭据智能化工场等的需求，新增购买： ?智能化工场硬件：智能超市、立体库等配置； ?智能化软件体例：数字孪生体例、产物工艺数字
“高端半导体配置家当化基地维持项目”改观前后产能增众 200台（套）/年，单元产能投资额未发作巨大变动，的确如下：
2、维系具体投资盘算、维持实质、资金用处是否能昭着分别，证明正在前次召募资金尚未根基行使完毕情形下奉行本次募投项宗旨需要性
“高端半导体配置家当化基地维持项目”的具体投资盘算、维持实质和资金分别情形的确如下：
首发召募 首发超募 首发和首发 资金 资金 超募小计 （A） （B） （②=A+B）
紧要为1号厂房裙房东体组织及 部门钢组织工程；2号保护性租 赁住房（员工宿舍）主体组织； 3号和 4号厂房东体组织。
紧要为 1号厂房、2号保护性租 赁住房（员工宿舍）、3号厂房、 4号厂房其他土筑工程、室内装 修等残存工程；5-14号制造工程 及全体室外景观等工程。
正在参加地方筑制及装修等的维持时，公司将凭据维持进度优先行使前次召募资金，后续将行使本次召募资金持续参加，资金用处
和行使能够昭着分别，发行人将根据《召募资金执掌举措》等的央浼，对召募资金举办专款专户执掌，依据召募资金项宗旨计划经营
（2）前次召募资金尚未根基行使完毕情形下奉行本次募投项宗旨需要性 截至 2025年 9月 30日，公司前次召募资金行使情形列示如下：
公司初度公斥地行召募资金投资项目，除“高端半导体配置家当化基地维持项目”尚未结项外，其他项目均已竣工。“高端半导体配置家当化基地维持项目”拟行使前次召募资金 26,826.60万元，截至 2025年 9月 30日，项目已参加 8,677.38万元，截至 2025年 12月 23日，已参加 1.63亿元前次召募资金。
“高端半导体配置家当化基地维持项目”项宗旨具体维持进度和前次召募资金行使进度如下：
赢得维持工程经营许可证； 赢得施工许可证； 主体工程施工； 改观项目立案。
由上外可知，该项目前次召募资金正在 2025年 6月前行使较慢紧要是因为施工前置手续较长所致，因无法开工维持，截至 2025年 6月，共计开支 7,743.74万元，个中 6,768.43为土地购买用度。2025年下半年，施工手续齐备后，工程进度明白加疾，前次召募资金行使速率相应明白加疾，截至 2025年 12月 23日，已行使 1.63亿元，估计 2026年上半年能够行使完毕。
前述召募资金行使完毕后，预估家当基地内 1号厂房裙房东体组织及部门钢组织工程根基竣工，2号保护性租赁住房（员工宿舍）主体组织根基竣工，3号和 4号厂房东体根基竣工，项目须要追加资金竣工后续维持就业。
该项目维持期为 5年，公司需凭据墟市延长预期、下逛扩产需求，提前策划产能扩张并奉行维持。鄙人逛扩产盘算已昭着的情形下，此刻为维持新的前辈制程产线的安妥机会，前次召募资金行使完毕无法竣工项目维持，待前次召募资金齐备行使完毕后策划奉行新的扩产项目，将使得公司产能无法完婚下逛扩产节拍，并逗留工程进度。
（三）维系紧要研发实质、技巧与职员储蓄、研发发展、研起事点占据情形、原资料及配置采购的可行性等，证明奉行前沿技巧研发核心维持项目是否存正在巨大不确定性
半导体配置行业的技巧迭代效力“工艺驱动、众维协同、接连优化”的底层逻辑，其繁荣途径并非依赖简单推翻性技巧打破，而是通过现有技巧系统的精进演化完毕机能跃升，紧要牵引驱动力为“制程微缩、存储堆叠、封装集成”。薄膜重积配置举动半导体筑筑中掩盖最广、工艺依赖性最强的中央配备之一，其技巧演进永远盘绕工艺需求牵引、众技巧协同优化伸开，通过资料系统升级、工艺参数邃密化掌握、配置性能模块化扩展等渐进式更始，须要公司有完美健康的中央技巧系统和工艺迭代研发体味。
2010年创设此后，公司即专心于盘绕下逛“制程微缩、存储堆叠、封装集成”带来的技巧迭代需求，接连更始，紧跟下逛早期成熟制程至前辈制程、前辈3D NAND、前辈 DRAM架构等工艺演进节拍，接连举办研发和技巧积攒，众次接受邦度科技巨大专项/课题，正在薄膜重积配置界限造成了以 9大中央技巧为基座的技巧架构系统，处理了半导体筑筑中纳米级厚度薄膜匀称相同性、薄膜外貌颗粒数目少、迅疾成膜、配置产能宁静高速等枢纽困难，中央技巧到达邦际前辈程度。
正在技巧连接成熟、体例化、深耕化的流程中，公司亦积攒了丰裕的技巧研发迭代体味，鄙人逛每个枢纽技巧节点打破时，提前洞察迭代的枢纽技巧重心，安身现有技巧积攒，构造技巧和产物储蓄，研发造成适配下逛技巧所需的工艺及产物，鞭策下逛的技巧迭代。
公司左右研发项目所必备的全平台中央技巧，针对下逛行业迭代趋向提前构造迭代研发的体味丰裕，占据研起事点不存正在巨大不确定性。
2、项目研发参加的实质和研发发展、研起事点占据情形和技巧储蓄 （1）前辈 ALD系列产物及工艺研发与优化
面向前辈逻辑、前辈 3D NAND、先 进 DRAM架构芯片筑筑工艺所需的 ALD介质薄膜和金属薄膜技巧及设 备产物斥地
合用于前辈逻辑、前辈 3D NAND、 前辈 DRAM架构芯片筑筑工艺的替 代守旧刻蚀的 ALD技巧延迟及配置 产物斥地
合用于逻辑、存储等芯片筑筑界限所 需的批量式 ALD薄膜技巧及配置产 品斥地
通过墟市与技巧的前期调研昭着产物需乞降领域，对研发项目举办通盘评 估，确定总体的技巧计划、产物框架及周详技巧央浼和计划草图；
将产物参加到客户端实质坐蓐境况中举办验证，目的是优化产物以餍足客 户特定需求，并磨练其正在多量量坐蓐前提下的机能与宁静性。同时，启动 接连校正盘算，处理试产中揭发的题目，最终目的是鞭策产物到达可批量 坐蓐的形态，验证通事后即可进入量产阶段。
截至 2025年 9月 30日，公司研发职员共有 678名，占公司员工总数的 40.72%。
研发职员中博士探索生 59人，占研发职员的比例约 8.70%；硕士探索生 416人，占研发职员的比例约 61.36%。公司的研发技巧团队组织合理，分工昭着，专业常识储蓄深挚，产线验证体味丰裕，专业学科涵盖化学、等离子体物理、流体力学、射频及微波学、电气掌握及自愿化、软件工程、呆板工程等众种科学技巧及工程界限等，是奠定公司技巧能力的基石，保护了公司本次项宗旨研发就业。
公司设立了美满的供应链执掌系统，吸纳积攒环球半导体行业内的优质供应链资源，选用众源采购形式并与中央供应商恒久策略互助，修建起互信共赢的供应链生态，设立了常态化、高效化的研发互动机制，确保部件及配置器材的机能敷裕完婚公司技巧研发央浼，为研发项目奉行供应宁静供应保护。
薄膜重积配置技巧迭代永远盘绕资料系统升级、工艺参数邃密化掌握及配置性能模块化扩展伸开，而非依赖简单推翻性技巧打破。2010年创设此后，公司永远专心于盘绕集成电道芯片筑筑技巧迭代需求，接连更始，接受奉行了众项邦度科技巨大专项/课题，慢慢修建了以 9大中央技巧为基座的技巧架构系统，处理了半导体筑筑中纳米级厚度薄膜匀称相同性、薄膜外貌颗粒数目少、迅疾成膜、配置产能宁静高速等枢纽困难，中央技巧到达邦际前辈程度，并造成了掩盖通盘、技巧程度高的薄膜重积产物鞭策下逛技巧迭代。
公司左右 PE-ALD与 Thermal-ALD两种技 术道理，并盘绕 ALD技巧举办了体例布 局，造成了众款工艺配置产物，具有研发 和家当化才具。公司维系 ALD工艺特质， 斥地了众款高产能平台，并具有反响腔、 先驱体执掌和传输体例、高精度射频体例 等计划体味，以及坎坷温氧化硅、氮化硅、 氧化铝和碳氧化硅等介质薄膜资料、金属 化合物和金属薄膜资料的工艺斥地体味。
项目研发实质与现有 中央技巧为同源技巧， 公司运用相干技巧的 产物已正在客户端多量 量坐蓐，具有多量的运 行数据，试验室连接进 行闲居性优化试验，为 公司研发项目奉行奠 定了根源，公司已占据 部门技巧难点，后续研 发为正在技巧储蓄和攻 克难点根源上的技巧 迭代和优化，公司创设 此后技巧迭代体味丰 富，占据研起事点不存 正在毛病。
公司具有深挚的 PECVD技巧积攒，已实 现全系列 PECVD薄膜资料的掩盖，左右 了通盘的通用介质资料和前辈介质资料薄 膜工艺技巧，并正在逻辑、存储等界限已实 现范围量产。公司维系差别类型的 PECVD 工艺重积特质，造成了脉冲等离子体技巧、 薄膜匀称性掌握技巧、前辈气体传输体例、 高产能平台技巧等系列枢纽中央技巧，实 现对薄膜重积机能的精准掌握。
公司维系芯片沟槽填充需求，一经造成了 掩盖差别深宽比组织沟槽的薄膜资料填充 工艺，左右了 SACVD、 HDPCVD 及 Flowable CVD等沟槽填充 CVD技巧。公 司盘绕沟槽填充薄膜的机能需求，一经形 成了高台阶掩盖率薄膜反响腔、先驱体输 送与混气体例、等离子体后处罚体例等设 计斥地体味，并具备拓展差别类型沟槽填 充 CVD的技巧体味。
央浼，已积攒了智能化工艺模子的开端经 验，并深切明了高精度及时掌握软硬件体 系，同时，正在温控算法、射频技巧、众物 理场仿真、超洁白资料等方面积攒了丰裕 的研发与优化计划体味。
掌握体例、软件架构与 硬件架构的协同整合， 造成具备通用适配能 力的掌握处理计划，并 研发具有通用性的合 键模块体例，为基于现 有体例、架构和成熟模 块根源上的研发迭代、 整合，占据研起事点不 存正在毛病。
于是，本项目紧要面向前辈制程迭代与三维集成架构对高端半导体配置提出的技巧需求，拟重心盘绕 PECVD、ALD、沟槽填充 CVD等工艺配置界限深耕，展开众项前辈薄膜重积工艺和配置的研发，并慢慢打破个中的前沿中央技巧，造成一系列具有自决常识产权、餍足前沿技巧运用需求的产物，公司以高本质研发技巧人才为支柱，以中央技巧积攒和丰裕研发体味为保护，对各项宗旨研发重心难点均有丰裕的技巧储蓄，研发重心占据不存正在巨大不确定性。
正在研发原资料及器材供应方面，公司设立了众源采购形式，与中央供应商恒久策略互助，造成协同更始机制，为项目研发供应宁静供应保护。
综上，公司技巧、研发体味、人才、研发资料及器材供应均对奉行前沿技巧研发核心维持项目供应有力支柱，项目奉行不存正在巨大不确定性。
（四）维系本募产物的墟市需求、角逐体例及公司角逐优劣势、现有及新增产能、产能使用率及产销率、正在手订单及客户斥地情形等，证明本次募投项目追加投资新增产能的合理性以及产能消化手段
公司举动行业内领先企业，正在研发才具、技巧程度、产物掩盖、客户资源等方面造成角逐上风，使得公司可直承担益于下逛需求扩张带来的墟市增量，“高端半导体配置家当化基地维持项目”达产后，将新增薄膜重积配置的产能 600台（套）/年，填补自己产能缺乏的劣势，公司与客户互助相干平稳，正在手订单弥漫且正在部门下搭客户新增扩产中占对照高，正在手订单估计转化成果较高，保护了新增产能的消化，的确如下：
公司将通过本次募投项目增添用于高端半导体配置的产能范围，餍足下搭客户正在制程迭代流程中产能扩张和工艺升级对高端配置的紧迫需求。
正在芯片需求接连兴盛的大布景下，下逛芯片筑筑企业针对高端存储、车规级芯片等众品类产线的扩产经营真切、预期昭着。经公然消息检索，邦内紧要芯片筑筑企业近期普通存正在扩产盘算，的确情形如下：
长江存储举动邦内 NAND领军企业，正饱动三 期扩产盘算，三期达产后总产能将达 30万片/ 月，目的吞噬环球 15%的 NAND墟市份额。
2025年大幅增产的根源上产能进一步同比增 长近 50%。到 2025岁终，其月产能希望到达 3 0万片，届时约吞噬环球DRAM总产能的15%。
华虹公司筑筑新的 12英寸产线亿 美元的投资盘算。该等投资从 2023年年中开 始，贯穿 2024-2026年，均匀来看，约 20亿美 元/年。
三维众芯片集成封装项目总投资 84亿元，产 能为凸块工艺加工 8万片/月，三维众芯片集成 封装 1.6万片/月，估计于 2025年投产、2027 年达产。
经营维持 12英寸集成电道芯片坐蓐线，盘算 筑成后产能达 5万片/月，2026岁终完毕量产， 2030年满产，2031完毕产线产物组合的最终 计划产能。
维持一条 12英寸集成电道芯片筑筑坐蓐线， 产物定位为高端模仿集成电道芯片。项目经营 总投资 200亿元，经营产能 4.5万片/月。
衢州年产 180万片 12英寸重掺衬底片项目， 总投资 22.62亿元，2025岁终前竣工开工打定， 维持周期约 60个月。
凭据2025年12月SEMI预测，环球半导体配置发售额估计2025年延长11.0%至 1330亿美元，2026年、2027年估计再延长 9.0%和 7.3%，至 1450亿美元和1560亿美元。凭据前述数据，假设 2028年-2030年维系 2027年较 2026年的 7.3%增速，维系 SEMI数据整顿的 2024年中邦大陆半导体筑筑配置发售额占环球半导体筑筑配置发售额的比例 42.30%、薄膜重积配置墟市范围约占半导体筑筑配置墟市的 22%测算，邦内薄膜重积配置的来日五年的需求量如下： （未完）
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